Foi desenvolvida, no Departamento de Física da Universidade de
Lancaster, no Reino Unido, uma inovação revolucionária no campo da memória de
computador. Esta memória foi designada por DRAM.
De acordo com os investigadores, a tecnologia UltraRAM possibilitou o desenvolvimento de circuitos integrados com capacidade de armazenamento de informações não volátil, ao mesmo tempo que mantém os tempos de acesso característicos dos chips de memória DRAM.
O ULTRARAM combina as vantagens da memória DRAM com as memórias NAND Flash, eliminando as desvantagens e prometendo uma latência até 10 vezes inferior à da memória DRAM, ao mesmo tempo que reduz o consumo energético.
Os desenvolvedores asseguram ainda que a durabilidade destes chips é 4.000 vezes superior à dos circuitos integrados NAND Flash, o que significa que são capazes de armazenar informações por mais de 1.000 anos.
Esta inovação pode trazer avanços significativos na área da informática.Aliás, os investigadores já criaram a empresa Quinas para concentrar recursos no desenvolvimento e melhoria desta tecnologia, visando sua posterior disponibilização comercial.
Sem comentários:
Enviar um comentário